[发明专利]光掩模信息的获取方法、光掩模的品质表示方法有效
申请号: | 200810134031.0 | 申请日: | 2008-07-22 |
公开(公告)号: | CN101373324A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 吉田光一郎;井村和久 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供光掩模信息的获取方法、光掩模的品质表示方法、电子器件的制造支援方法、电子器件的制造方法及光掩模制品,用与规定的曝光条件近似的曝光条件对光掩模进行曝光,通过拍摄装置获取该光掩模的透过光图形,并基于获取的透过光图形得到透过光图形数据。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 信息 获取 方法 品质 表示 | ||
【主权项】:
1.一种获取光掩模的信息的光掩模信息的获取方法,该光掩模使用于:对在施行了蚀刻加工的被加工层上形成的抗蚀膜,用具有由遮光部、透光部及半透光部构成的规定的转印图形的光掩模在规定的曝光条件下进行曝光,将所述抗蚀膜形成为具有在所述蚀刻加工中成为掩模的抗蚀残膜量的不同部位的抗蚀图形,该光掩模信息的获取方法,包括:用与所述规定的曝光条件近似的曝光条件,对所述光掩模或与所述光掩模近似的测试掩模进行曝光,通过拍摄装置获取所述光掩模或所述测试掩模的透过光图形,生成含有基于获取的透过光图形的透过光图形数据的光掩模信息,并且将所述光掩模信息与所述光掩模建立对应。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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