[发明专利]半导体激光元件无效
| 申请号： | 200810134056.0 | 申请日： | 2008-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101355232A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 广山良治;野村康彦;畑雅幸;三宅泰人 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S3/22 | 分类号： | H01S3/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在上述基板的主表面上形成的光波导，其中，基板包括以相对基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，光波导以位于位错集中区域的上方，并位于基板的主表面中的除去出现位错集中区域的部分的区域上的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，其特征在于，包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在所述基板的主表面上形成的光波导，其中，所述基板包括以相对所述基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，所述光波导以位于所述位错集中区域的上方，并位于所述基板的主表面中的除去出现所述位错集中区域的部分的区域上的方式形成。
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