[发明专利]半导体装置的制造方法和装置、控制程序及程序存储介质无效
| 申请号： | 200810134554.5 | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101399188A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 八田浩一;西村荣一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/31;H01L21/308;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、控制程序及程序存储介质。与以往相比，能够谋求简化工序和降低制造成本，且能够谋求提高生产率。其中，该半导体装置的制造方法包括在有机膜(102)的图案上形成SiO2膜(105)的成膜工序、以使SiO2膜(105)仅残留在有机膜(102)的图案的侧壁部的方式将其蚀刻的蚀刻工序、和去除有机膜(102)的图案而形成SiO2膜(105)的图案的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 控制程序 程序 存储 介质 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置的制造方法，该方法根据将光致抗蚀剂膜曝光、显影而获得的第1图案，将基板上的被蚀刻层蚀刻成规定的图案来制造半导体装置，其特征在于，该方法包括：有机膜成图工序，其根据上述光致抗蚀剂的第1图案使有机膜成图；成膜工序，其在成图的上述有机膜上形成SiO2膜；蚀刻工序，其以使上述SiO2膜仅残留在上述有机膜的侧壁部的方式对SiO2膜进行蚀刻；第2图案形成工序，其去除上述有机膜而形成上述SiO2膜的第2图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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