[发明专利]表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810134896.7 | 申请日： | 2008-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101645476A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;涂博闵;叶颖超;林文禹;吴芃逸;徐智鹏;詹世雄 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法，其可包括衬底、缓冲层、n型三族氮化物半导体材料层、三族氮化物半导体发光层、第一p型三族氮化物半导体材料层、p型重掺杂三族氮化物半导体材料层、以及第二p型三族氮化物半导体粗化层。上述第一p型三族氮化物半导体材料层，成长于上述三族氮化物半导体发光层上。上述p型重掺杂三族氮化物半导体材料层，成长于上述第一p型三族氮化物半导体材料层上。上述第二p型三族氮化物半导体粗化层，成长于上述p型重掺杂三族氮化物半导体材料层上。本发明提供的发光元件不仅具有表面粗化的特性，可以确保亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 氮化 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面粗化的氮化镓系发光元件，包括：衬底；缓冲层，成长于该衬底上；第一导电类型三族氮化物半导体材料层，成长于该缓冲层上；三族氮化物半导体发光层，成长于该第一导电类型三族氮化物半导体材料层上；第一第二导电类型三族氮化物半导体材料层，成长于该三族氮化物半导体发光层上；重掺杂第二导电类型三族氮化物半导体材料层，成长于该第一第二导电类型三族氮化物半导体材料层上；以及第二第二导电类型三族氮化物半导体粗化层，成长于该重掺杂第二导电类型三族氮化物半导体材料层上。
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