[发明专利]半导体制造装置、半导体制造方法及电子机器无效
| 申请号： | 200810134902.9 | 申请日： | 2008-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101359594A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 塩谷喜美 | 申请（专利权）人： | 奈米材料研究所股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/314;C30B25/00;C23C16/24 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是关于一种半导体制造装置、半导体制造方法及电子机器，通过让反应基比其它官能团更容易被切断的反应气体，来处理制造标的为半导体晶圆的装置及方法；典型的做法为，将反应气体本身，制作为具有OC2H5基或OCH3基等的硅氧烷气体的反应气体，经由和脱离C2H5基等后留下来的氧(O)的相互结合、或经由与C2H5基与OC2H5基或OCH3基的反应，来形成低介电率膜或绝缘物阻隔膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 电子 机器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体制造装置，其特征在于其具备：通过让反应基比其它官能团更容易被切断的状态下的反应气体，来处理制造标的为半导体晶圆的手段。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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