[发明专利]熔丝盒及其制造方法及修补半导体器件中该熔丝盒的方法无效
| 申请号： | 200810134969.2 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101364589A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 姜政圭 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种在半导体器件中的熔丝盒，该熔丝盒包括：熔丝线和绝缘图案，所述熔丝线形成在熔丝线区域中以形成中心具有空隙的导电图案和在所述空隙中的相变材料图案，所述绝缘图案形成在所述熔丝线上方以暴露出所述相变材料图案。本发明还提供制造该熔丝盒的方法以及修补在半导体器件中的该熔丝盒的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 熔丝盒 及其 制造 方法 修补 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件中的熔丝盒，包括：熔丝线，其形成在熔丝线区域中以形成中心具有空隙的导电图案和在所述空隙中的相变材料图案；和绝缘图案，其形成在所述熔丝线上方以暴露出所述相变材料图案。
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