[发明专利]半导体激光器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810135184.7 | 申请日： | 2008-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101425659A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 仓本大;仲山英次;大泉善嗣;藤本强 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/16;H01S5/00;G11B7/125;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体激光器及其制造方法、光头、光盘装置、半导体装置及其制造方法及氮化物型III-V族化合物半导体层的生长方法，其中，通过在基板上生长包括含有至少包含In和Ga的氮化物型III-V族化合物半导体的活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层来制造具有端面窗结构的半导体激光器。该半导体激光器的制造方法包括步骤：至少在形成端面窗结构的位置附近的基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及在基板上没有被掩模覆盖的部分上生长包括活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层。通过本发明，可以非常容易地生长至少包含In和Ga并且具有带隙能量在至少一个方向上改变的部分的氮化物型III-V族化合物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体激光器的制造方法，通过在基板上生长包括含有至少包含铟和镓的氮化物型III-V族化合物半导体的活性层的氮化物型III-V族化合物半导体层来进行制造，所述半导体激光器具有端面窗结构，所述方法包括以下步骤：至少在形成所述端面窗结构的位置附近的所述基板上形成包括绝缘膜的掩模；以及在所述基板上没有被所述掩模覆盖的部分上生长包括所述活性层的所述氮化物型III-V族化合物半导体层。
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