[发明专利]半导体装置制造方法有效
| 申请号： | 200810135435.1 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101364570A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 山本雄一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置制造方法，所述半导体装置包括在半导体基板上的具有不同工作电压的第一晶体管组和第二晶体管组，所述第一晶体管组具有第一栅电极，所述第二晶体管组具有第二栅电极，所述制造方法包括如下步骤：在将所述第一栅电极的高度设为低于在伪栅部中形成的伪栅电极的高度之后，在所述第一晶体管组的第一栅电极上形成硅化物层；并且，在形成覆盖住所述硅化物层的层间绝缘膜并使所述层间绝缘膜的表面平坦化之后，通过除掉所述伪栅部来形成栅形成用沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置制造方法，所述半导体装置具有在半导体基板上的第一晶体管组和第二晶体管组，所述第二晶体管组的工作电压低于所述第一晶体管组的工作电压，所述第一晶体管组具有隔着第一栅绝缘膜在所述半导体基板上形成的第一栅电极和在所述第一栅电极上形成的硅化物层，所述第二晶体管组具有隔着第二栅绝缘膜在栅形成用沟槽内形成的第二栅电极，所述栅形成用沟槽是通过除掉在所述半导体基板上形成的伪栅部而形成的，所述方法包括如下步骤：在将所述第一栅电极的高度设为低于在所述伪栅部中形成的伪栅电极的高度之后，在所述第一晶体管组的第一栅电极上形成所述硅化物层；并且，在形成覆盖住所述硅化物层的层间绝缘膜并使所述层间绝缘膜的表面平坦化之后，通过除掉所述伪栅部来形成所述栅形成用沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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