[发明专利]具有焊接引线的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810135608.X | 申请日： | 2008-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101339934A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 田中壮和;高桥康平 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于防止对半导体芯片的机械和热损伤的半导体器件及制造方法。激光束将形成于第一外引线上的第一连接焊盘焊接到形成于半导体芯片表面上的第一电极上。第一连接孔形成在第一连接焊盘中，且第一连接孔与第一连接电极交叠。激光束照射包括第一连接孔的区域，并且第一连接孔周围的部分中的第一连接焊盘熔融形成熔融部，其焊接到第一连接电极上而容易形成具有更优良电特性的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 焊接 引线 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体芯片，其包括形成于其顶表面上的第一连接电极；和第一外引线，其包括形成有第一连接孔的第一连接焊盘，其中第一连接孔与第一连接电极交叠，且第一连接焊盘的熔融部焊接到第一连接孔周围的部分中的第一连接电极上。
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