[发明专利]用于形成具有底电极的相变存储器件的方法

摘要

提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。

主权项

1. 一种用于制造相变存储器件的方法，包括：形成线形或者L形底电极，所述底电极与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在所述基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面，其中，沿着所述底电极的所述上表面的所述x轴的尺度具有比用于制造所述相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度；形成相变图案，所述相变图案与所述底电极的所述上表面接触，并且具有比所述底电极的所述上表面的所述x和y轴方向上的每个所述尺度大的宽度；并且在所述相变图案上形成上电极，其中，所述线形或者所述L形表示所述底电极在所述x轴方向上的剖面线形状或者剖面L形状。