[发明专利]硅结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200810135811.7 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101344612A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 渡边真也 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/12;G02F1/01 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种硅结构的制造方法，包括：在处理层上形成衬底上结构以在平行于所述处理层的平面上具有连续变化的宽度；和通过各向同性蚀刻，逐渐去除直接位于所述衬底上结构的下面的硅衬底上的所述处理层的目标部分。处理层可以是硅衬底的表面层，或形成于硅衬底上的牺牲层。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅结构的制造方法，包括：在硅衬底上形成衬底上结构以具有连续变化的宽度；以及通过各向同性蚀刻，逐渐去除直接位于所述衬底上结构的下面的所述硅衬底的目标部分。
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