[发明专利]制造半导体纳米线组以及包括纳米线组的电器件无效
| 申请号： | 200810136002.8 | 申请日： | 2004-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101330099A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·P.·A.·M.·巴克斯;路易斯·F.·费内;亚伯拉罕·R.·巴尔肯那德 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L33/00;H01L51/00;H01L51/50;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/302;B82B3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种制造具有期望的线径(d)的半导体纳米线组(10)的方法，包括以下步骤：提供预制造的半导体纳米线组(10’)，至少一个预制造的半导体纳米线具有大于期望的线径(d)的线径(d’)，并且通过蚀刻减小该至少一个预制造的纳米线(10’)的线径，由被该至少一个预制造的纳米线(10’)所吸收的光来引发该蚀刻，选择光的光谱使得当该至少一个预制造的纳米线达到期望的线径(d)时显著减小该至少一个预制造的纳米线的吸收。电器件(100)可以包括具有期望的线径(d)的纳米线组(10)。设备(29)可以用于执行根据本发明的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 纳米 以及 包括 器件 | ||
【主权项】：
1、一种电器件(100)，包括半导体纳米线组(10)，该组包括其中的每条纳米线具有第一线径(da)的第一纳米线子组(10a)和其中的每条纳米线具有与所述第一线径(da)不同的第二线径(db)的第二纳米线子组(10b)，将所述第一子组的纳米线(10a)附着到衬底的第一部分(110a)，将所述第二子组的纳米线(10b)附着到所述衬底的除所述第一部分(110b)之外的第二部分(110b)。
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