[发明专利]用于快闪存储器的数据写入方法、储存系统与控制器

摘要

一种在多层记忆胞(Multi Level Cell，MLC)NAND快闪存储器中写入数据的方法及使用此方法的储存系统与控制器，其中此MLC NAND快闪存储器包括多个区块，其中每一区块包括多个页面地址且这些页面地址区分为多个上页地址与写入速度快于上页地址的多个下页地址，此数据写入方法包括接收写入指令与欲写入的数据，以及写入数据至页面地址中，其中当欲写入的页面地址为上页地址且欲写入的页面地址所对应的下页地址已储存先前写入指令所写入的有效数据时则跳过此欲写入的页面地址。基此，能够在对MLC NAND快闪存储器发生编程错误时，确保先前写入指令所写入的数据的正确性。

主权项

1.一种数据写入方法，其用以写入数据至一多层记忆胞(Multi LevelCell，MLC)与非(NAND)快闪存储器，其中该MLC NAND快闪存储器包括多个区块，其中每一区块包括多个页面地址且该些页面地址区分为多个上页地址与写入速度快于该些上页地址的多个下页地址，该数据写入方法包括：接收一写入指令与欲写入的数据；以及写入该数据至该些区块中，其中当欲写入的页面地址为该些上页地址且该欲写入的页面地址所对应的下页地址储存先前写入指令所写入的有效数据时则跳过该欲写入的页面地址。