[发明专利]超声换能器上的嵌入式电路以及制造方法有效

专利信息
申请号: 200810136157.1 申请日: 2008-07-10
公开(公告)号: CN101344588A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: D·A·彼得森;S·C·恩隆德 申请(专利权)人: 美国西门子医疗解决公司
主分类号: G01S7/521 分类号: G01S7/521;A61B8/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 卢江;刘春元
地址: 美国宾夕*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及超声换能器上的嵌入式电路以及制造方法。在背衬块(54)内嵌入一个或多个芯片、集成电路(44)、或半导体(44)。形成背衬材料(54)的平面薄片(32),其中集成电路(44)位于薄片(32)中的孔(34)内。轨道(46)把集成电路(44)连接到电极或所暴露的传导表面(52)。多个平面薄片(32)可以利用晶片处理来制造,比如在背衬材料(54)的晶片中对芯片的拾取和放置(16)以及IC重新分配用于形成轨道(46)。从晶片切割不同的薄片(32),并彼此相邻地堆叠(22)。换能器与所暴露的电极或背衬(54)的传导表面(52)相连接。
搜索关键词: 超声 换能器上 嵌入式 电路 以及 制造 方法
【主权项】:
1.在具有形成多个元件(58)的换能器材料(56)、每个元件(58)上的电极、以及声衰减背衬材料(54)的超声换能器中,一种改进包括:嵌入在声衰减背衬材料(54)中的集成电路(44)。
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