[发明专利]一种深槽改良原位修复盐碱地栽植双孢菇的方法无效

专利信息
申请号: 200810137271.6 申请日: 2008-10-09
公开(公告)号: CN101361420A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 祖元刚;王文杰;黄路明;于兴洋;张宝友;王慧梅;许慧男;李冉;王莹;邱岭;王春丽;金铁光;李弘 申请(专利权)人: 东北林业大学;祖元刚
主分类号: A01B79/00 分类号: A01B79/00;A01G1/04;B09C1/00;B09C1/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150040黑龙江省哈尔*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种深槽改良原位修复盐碱地栽植双孢菇的方法,为栽植双孢菇,首先进行双孢菇培养料的调制,同时在盐碱地上进行深槽带状整地。深槽四壁竖直铺上玉米秸秆帐。在槽底部铺垫一层玉米秸秆、一层牛粪、一层玉米秸秆,再加一层淋溶土,其上再加同等量的玉米秸秆+牛粪+玉米秸秆+淋溶土至地表,浇灌降盐碱剂。待双孢菇培养料调制完毕后,将蘑菇培养料施于浇灌降盐碱剂的玉米秸秆+牛粪+玉米秸秆+淋溶土的四层结构上。按照深槽尺寸建立塑料大棚,在其上铺上玉米秸秆帐,其上再铺一层遮光布。在相邻的槽间建立排水沟,槽边设有蓄水池。最后在培养料上播撒菌种栽植双孢菇,控制温度和湿度培养20-30天,覆土后进行正常采菇管理。
搜索关键词: 一种 改良 原位 修复 盐碱地 栽植 双孢菇 方法
【主权项】:
1.一种深槽改良原位修复盐碱地栽植双孢菇的方法,为栽植双孢菇,首先进行双孢菇培养料的调制,同时在盐碱地上进行深槽带状整地。深槽四壁竖直铺上玉米秸秆帐。在槽底部铺垫一层玉米秸秆、一层牛粪、一层玉米秸秆,再加一层淋溶土,其上再加同等量的玉米秸秆+牛粪+玉米秸秆+淋溶土至地表,浇灌降盐碱剂。待双孢菇培养料调制完毕后,将蘑菇培养料施于浇灌降盐碱剂的玉米秸秆+牛粪+玉米秸秆+淋溶土的四层结构上。按照深槽尺寸建立塑料大棚,在其上铺上玉米秸秆帐,其上再铺一层遮光布。在相邻的槽间建立排水沟,槽边设有蓄水池。最后在培养料上播撒菌种栽植双孢菇,控制温度和湿度培养20-30天,覆土,进行正常采菇管理。
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