[发明专利]缓蚀性阴离子插层水滑石/氧化物复合材料制备及应用无效

专利信息
申请号: 200810137582.2 申请日: 2008-11-21
公开(公告)号: CN101418154A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 王君;何洋;于湘;李丹丹;景晓燕;张密林 申请(专利权)人: 哈尔滨工程大学
主分类号: C09D7/12 分类号: C09D7/12;C09D163/00;C09D5/08;C23F11/18
代理公司: 哈尔滨市船大专利事务所 代理人: 张贵丰
地址: 150001黑龙江省哈*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明提供的是缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料、制备方法及应用。采用一步共沉淀法和焙烧复原法在水滑石层间直接插入缓蚀剂阴离子。通过控制二价金属离子和三价金属离子的配比,反应溶液的pH值,反应温度,在水滑石晶体生成过程中,原位同步生成纳米氧化物,从而制备具有防腐功能的缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料。本发明的主要特征在于:纳米片层结构的水滑石/氧化物复合材料的原位制备方法;通过引入具有抗腐蚀作用的缓蚀剂及在反应过程中原位生成的纳米氧化物,来提高缓蚀剂的释放量,降低涂层的吸水性。该复合材料可用于作为金属防腐蚀涂层体系的颜料,特别对提高镁合金防腐涂层的防腐性能具有潜在的应用价值。
搜索关键词: 缓蚀性 阴离子 插层水 滑石 氧化物 复合材料 制备 应用
【主权项】:
1、一种缓蚀性阴离子插层水滑石/纳米氧化物复合材料,其特征是:其化学组成为MaOb/[M2+1-xM3+x(OH)2]x+(A)n-x/n·mH2O;其中M2+代表+2价金属离子,是Mg2+、Zn2+、Ni2+、Ce2+或Fe2+;M3+代表+3价金属离子,是Al3+、Cr3+、Ce3+、Fe3+或Ti3+;An-为具有缓释效果的阴离子,是钒酸盐、钼酸盐、钨酸盐、铬酸盐或磷钼酸盐;MaOb代表+2价和+3价金属离子的氧化物,以+2价金属离子的氧化物为主。
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