[发明专利]有荧光发光性能的缓释型药物插层磁性水滑石及制备方法

摘要

本发明提供的是一种具有荧光发光性能的缓释型药物插层磁性水滑石及制备方法。由磁性基质，二价、三价金属盐混合配制成的盐液，NaOH和Na₂CO₃配制成的碱液制成CO₃-LDH/Fe₃O₄；将干燥后的CO₃-LDH/Fe₃O₄在450℃温度下焙烧2h，形成双金属氧化物；N₂保护下，将焙烧得到的双金属氧化物置于装有阿莫西林钠碱液的容器中，最后，放入恒温振荡器中于180r/min振荡24h，过滤，洗涤、干燥得到化学结构通式为：[M(II)_1-xM(III)_(1-β)x M`(III)_βx(OH)₂]^x+(AMX^-)_a(A^n-)_b·mH₂O/Fe₃O₄，为具有荧光发光性能的缓释型药物插层磁性水滑石。本发明优点就在于可消除与有机阴离子竞争插层的金属盐无机阴离子，而且适用于插入较大体积的药物分子。

主权项

1、一种有荧光发光性能的缓释型药物插层磁性水滑石，其特征是：化学结构通式为：[M(II)1-xM(III)(1-β)xM`(III)βx(OH)2]x+(AMX-)a(An-)b·mH2O/Fe3O4；其中Fe3O4为磁性基质，M(II)是二价金属离子，为Mg2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+、Zn2+或Mn2+中的一种；M(III)为三价金属离子Al3+、Cr3+或Fe3+中的一种；M`(III)为具有荧光性能的Eu3+、Tb3+、Ce3+、La3+中的一种；AMX-为阿莫西林一价阴离子；An-为电荷数为n的无机阴离子；x＝(M3++M`3+)/(M2++M3++M`3+)，β＝M`3+/(M3++M`3+)，β值为0.03-0.15。