[发明专利]低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810137597.9 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101417880A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 张幸红;韩杰才;孟松鹤;徐林;韩文波;胡平 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种硼化物基陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料烧结温度及压力过高、烧结致密度低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料由硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂制成；添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末。本发明的方法如下：一、将硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂混合；二、再放入无水乙醇中进行超声波清洗分散，球磨混合，烘干；三、热压烧结后冷却即可。本发明在1800～1850℃、30MPa下烧结所获得低温烧结硼化物基陶瓷材料的组织均匀、致密，且晶粒度细小，同时力学性能优良，相对密度为96％以上，强度和韧性分别高达786MPa和7.12MPam1/2。本发明方法的工艺简单实用，成本低廉、易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 烧结 硼化物基 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、低温烧结硼化物基陶瓷材料，其特征在于硼化物基陶瓷材料按体积百分比由60％～94％的硼化物粉末、5％～30％的碳化硅粉末和1％～10％的添加剂制成，其中添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末，氧化铝粉末和氧化钇粉末的摩尔比为5∶3。
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