[发明专利]像素结构的制作方法有效
申请号: | 200810137834.1 | 申请日: | 2008-07-08 |
公开(公告)号: | CN101315909A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 杨智钧;黄明远;林汉涂;石志鸿;廖达文;方国龙;蔡佳琪 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种像素结构的制作方法,其包括下列步骤。首先,于基板上形成栅极,并于基板上形成栅介电层以覆盖栅极。接着,于栅介电层上形成通道层,并于通道层上形成第二金属层。接着,于第二金属层上形成图案化光致抗蚀剂层,并以图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的第二金属层,以于栅极两侧的通道层上形成源极与漏极,其中栅极、通道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。之后,于图案化光致抗蚀剂层、栅介电层以及薄膜晶体管上形成保护层。移除图案化光致抗蚀剂层,以使图案化光致抗蚀剂层上的保护层一并被移除,而形成图案化保护层,并暴露出漏极。接着,于图案化保护层与漏极上形成一像素电极。本发明可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构的制作方法,包括:提供基板;形成栅极于该基板上;形成栅介电层于该基板上,以覆盖该栅极;形成通道层于该栅极上方的该栅介电层上;形成第二金属层于该通道层上;形成图案化光致抗蚀剂层于该第二金属层上,并以该图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的该第二金属层,以于该栅极两侧的该通道层上形成源极以及漏极,其中该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管;形成保护层于该图案化光致抗蚀剂层、该栅介电层以及该薄膜晶体管上;移除该图案化光致抗蚀剂层,以使该图案化光致抗蚀剂层上的该保护层一并被移除,而形成图案化保护层,并暴露出该源极与该漏极;以及形成像素电极于该图案化保护层与该漏极上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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