[发明专利]像素结构的制作方法有效

专利信息
申请号: 200810137834.1 申请日: 2008-07-08
公开(公告)号: CN101315909A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 杨智钧;黄明远;林汉涂;石志鸿;廖达文;方国龙;蔡佳琪 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种像素结构的制作方法,其包括下列步骤。首先,于基板上形成栅极,并于基板上形成栅介电层以覆盖栅极。接着,于栅介电层上形成通道层,并于通道层上形成第二金属层。接着,于第二金属层上形成图案化光致抗蚀剂层,并以图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的第二金属层,以于栅极两侧的通道层上形成源极与漏极,其中栅极、通道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。之后,于图案化光致抗蚀剂层、栅介电层以及薄膜晶体管上形成保护层。移除图案化光致抗蚀剂层,以使图案化光致抗蚀剂层上的保护层一并被移除,而形成图案化保护层,并暴露出漏极。接着,于图案化保护层与漏极上形成一像素电极。本发明可以简化工艺步骤并减少光掩模的制作成本。
搜索关键词: 像素 结构 制作方法
【主权项】:
1.一种像素结构的制作方法,包括:提供基板;形成栅极于该基板上;形成栅介电层于该基板上,以覆盖该栅极;形成通道层于该栅极上方的该栅介电层上;形成第二金属层于该通道层上;形成图案化光致抗蚀剂层于该第二金属层上,并以该图案化光致抗蚀剂层为掩模移除部分的该第二金属层,以于该栅极两侧的该通道层上形成源极以及漏极,其中该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成薄膜晶体管;形成保护层于该图案化光致抗蚀剂层、该栅介电层以及该薄膜晶体管上;移除该图案化光致抗蚀剂层,以使该图案化光致抗蚀剂层上的该保护层一并被移除,而形成图案化保护层,并暴露出该源极与该漏极;以及形成像素电极于该图案化保护层与该漏极上。
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