[发明专利]时效装置无效
| 申请号： | 200810137968.3 | 申请日： | 2008-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101350350A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 渡边浩志;木下敦宽;小林茂树;萩岛大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种时效装置，具备：半导体衬底、被形成在第1元件区域内的第1及第2扩散层、被形成在第1及第2扩散层间的沟道区域上的浮栅、以及相对于浮栅在横方向上隔开一定间隔并排形成的控制栅电极。浮栅与控制栅电极的耦合电容大于浮栅与半导体衬底的耦合电容。 | ||
| 搜索关键词： | 时效 装置 | ||
【主权项】：
1.一种时效装置，其特征在于包括：半导体衬底、被形成在上述半导体衬底的表面区域上的元件分离绝缘层、由上述元件分离绝缘层所包围的第1元件区域、被形成在上述第1元件区域内的第1及第2扩散层、被形成在上述第1及第2扩散层间的沟道区域上方的浮栅、以及相对于上述浮栅在横方向上隔开一定间隔并排形成的控制栅电极，其中，上述浮栅与上述控制栅电极的耦合电容大于上述浮栅与上述半导体衬底的耦合电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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