[发明专利]再加工半导体衬底的方法和形成半导体器件的图案的方法无效
| 申请号： | 200810142886.8 | 申请日： | 2008-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101320683A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 金垠成;金兑奎;吴锡焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/3213;G03F7/00;G03F7/20;G03F7/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种再加工半导体衬底的方法和在不损伤有机抗反射涂层(ARC)的情况下使用再加工半导体衬底的方法形成半导体器件图案的方法。再加工半导体衬底的方法包括在形成有有机ARC的衬底上形成光致抗蚀剂图案。当光致抗蚀剂图案中存在缺陷时，可曝光其上形成有光致抗蚀剂图案的衬底的整个表面。整个表面曝光的光致抗蚀剂图案可通过执行不损伤有机ARC的显影工艺来移除。 | ||
| 搜索关键词： | 再加 半导体 衬底 方法 形成 半导体器件 图案 | ||
【主权项】：
1.一种再加工半导体衬底的方法，该方法包括：在衬底上形成有机抗反射涂层；在该有机抗反射涂层上形成光致抗蚀剂图案；当该光致抗蚀剂图案中出现缺陷时，曝光具有该光致抗蚀剂图案的该衬底的整个表面；以及在不损伤该有机抗反射涂层的情况下通过执行显影工艺移除整个曝光表面的该光致抗蚀剂图案。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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