[发明专利]一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极无效

专利信息
申请号: 200810143347.6 申请日: 2008-10-17
公开(公告)号: CN101418433A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 陈理;李国强 申请(专利权)人: 湖南玉丰真空科学技术有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 湘潭市雨湖区创汇知识产权代理事务所 代理人: 左祝安
地址: 411100湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极,它属于一种平面磁控溅射阴极。它主要是解决现有平面阴极的靶材利用率相对较低等技术问题。其技术方案要点是:它由包括阴极体外壳(5)、磁靴(6)、磁铁(3)、冷却通道(2)和靶材(1)构成,并在靶材(1)和冷却通道(2)之间设置有调整磁场的金属薄片(7),所述金属薄片(7)为导磁金属材质。所述金属薄片(7)与靶材(1)的底部固联。在靶材(1)的底部设置一凹槽,金属薄片(7)嵌装在靶材(1)的底部设置的凹槽内。它可使靶材表面的水平方向的磁场在更大范围内达到均匀,从而提高靶材利用率,它可使靶材利用率由通常的20%-28%,提高到35%-38%。它可广泛应用于磁控溅射镀膜技术领域。
搜索关键词: 一种 提高 利用率 平面 磁控溅射 阴极
【主权项】:
1、一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极,它由包括阴极体外壳(5)、磁靴(6)、磁铁(3)、冷却通道(2)和靶材(1)构成,其特征是:在靶材(1)和冷却通道(2)之间设置有调整磁场的金属薄片(7),所述金属薄片(7)为导磁金属材质。
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