[发明专利]薄膜体声波谐振器以及制造该谐振器滤波器,复合电子元器件和通信器件的方法无效
| 申请号： | 200810144271.9 | 申请日： | 2004-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101340180A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 大西庆治;中村弘幸;中冢宏;山川岳彦 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02;H03H9/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜体声波谐振器包括一层压电薄膜和一对将压电薄膜插入在其中的电极。压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少部分外围区域向外延伸的外围区域。外围区域包括，在其至少部分区域中，包括用于阻尼声波的声阻尼区域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 以及 制造 滤波器 复合 电子元器件 通信 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波谐振器(100)，它包括：压电薄膜(103)；和，一对将压电薄膜插入在其中的电极(101，102)；其特征在于：所述压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的至少部分外围区域向外延伸的外围区域(104)，外围区域，在其至少部分区域中，包括用于阻尼声波的声阻尼区域(105)，以及所述声阻尼区域包括在除声阻尼区域以外的压电薄膜的任何区域中都不存在的同类或不同类原子(29)。
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