[发明专利]半导体器件和偏移电压调节方法有效
| 申请号： | 200810144343.X | 申请日： | 2008-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101364120A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 福原淳;满田刚 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件和一种偏移电压调节方法。该半导体器件包括：熔断器部分，具有多个构造为产生开关控制信号的熔断器电路；偏移调节部分，构造为基于从所述多个熔断器电路的输出节点提供的所述开关控制信号来调节差分放大器的偏移电压。多个熔断器电路中的每一个都包括：熔断器，连接在第一电源电压和切断节点之间；电流源，连接在第二电源电压和所述输出节点之间；第一晶体管，连接在所述输出节点和所述切断节点之间，并具有与所述第二电源电压连接的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 偏移 电压 调节 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：熔断器部分，具有构造成产生开关控制信号的多个熔断器电路；其中，所述多个熔断器电路中的每一个包括：熔断器，连接在第一电源电压和切断节点之间；电流源，连接在第二电源电压和所述输出节点之间；第一晶体管，连接在所述输出节点和所述切断节点之间，并具有与所述第二电源电压连接的栅极。
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