[发明专利]等离子体处理装置、天线和等离子体处理装置的使用方法无效

专利信息
申请号: 200810144698.9 申请日: 2008-06-11
公开(公告)号: CN101370350A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 平山昌树;大见忠弘 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;H01J37/32;H01L21/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 刘春成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供等离子体处理装置、天线和等离子体处理装置的使用方法。等离子体处理装置(10)包括:处理容器(100);输出微波的微波源(900);传送微波的同轴管的内部导体(315a);具有贯通孔(305a),使内部导体(315a)传送的微波透过并放出至处理容器(100)的内部的电介质板(305);和通过贯通孔(305a)与内部导体(315a)连接,在至少一部分与电介质板(305)的基板侧的面邻接的状态下,从电介质板(305)的基板侧的面露出的金属电极(310)。金属电极(310)的露出面中的一个面被电介质盖(320)覆盖。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 天线 使用方法
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其通过电磁波激励气体并对被处理体进行等离子体处理,其特征在于,包括:处理容器;输出电磁波的电磁波源;传送从所述电磁波源输出的电磁波的导体棒;形成有贯通孔,使所述导体棒传送的电磁波透过并放出至所述处理容器的内部的电介质板;和通过在所述电介质板中形成的贯通孔与所述导体棒连接,在至少一部分与所述电介质板的被处理体侧的面邻接的状态下,从所述电介质板的被处理体侧的面露出的金属电极,所述金属电极的露出面中的一个面被电介质盖覆盖。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学,未经东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810144698.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top