[发明专利]半导体器件及制作方法有效
| 申请号： | 200810144883.8 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101359685A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 奥利格·格卢申科夫;萨梅尔·简;刘孝诚 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/08;H01L27/085;H01L27/092;H01L27/12;H01L21/335;H01L21/336;H01L21/8232;H01L21/8238;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件及制作方法，特别是一种具有应变膜的半导体器件及制作方法。该器件包括NFET器件源极和漏极区中嵌入的SiGeC层及PFET器件源极和漏极区中嵌入的SiGe层。PFET器件受到压应变。该方法包括在NFET器件的源极和漏极区中嵌入SiGe并在NFET器件的源极和漏极区中嵌入的SiGe中注入碳以形成SiGeC层。该SiGeC层经熔融激光退火以使碳均匀分布于SiGeC层中，从而抵消由嵌入的SiGe引起的应变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种器件，包括NFET器件的源极和漏极区中嵌入的SiGeC层。
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