[发明专利]具有双重字线和源极线的相变化存储器及其操作方法有效
| 申请号： | 200810145009.6 | 申请日： | 2008-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101615425A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;林仲汉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双重字线和源极线的相变化存储器及其操作方法。本发明有关于一种相变化存储元件，其包含一存储单元、一第一字线导体及一第二字线导体，和第一及第二存取元件，以分别响应至该第一及第二字线导体。控制电路安排在读取操作时仅使用第一字线导体存取此存储单元来建立自该位线通过该存储单元至该第一存取元件的该源极线的一电流通道，且在复位该存储单元的操作时使用该第一及第二字线导体存取该存储单元，来建立自该位线通过该存储单元而至该第一及第二源极线的一电流通道。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双重 源极线 相变 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储装置，其特征在于，包括：一第一字线导体；一第二字线导体；第一及第二存取元件，其具有各自的存储单元接触与源极线接触，且回应至该第一及第二字线导体；一存储单元包含一第一电极、一第二电极及一存储元件于该第一电极与第二电极之间，该第一电极与该第一及第二存取元件的存储单元接触电性沟通，且其中该存储元件具有一设置状态及一复位状态，且包含一相变化材料；一位线与该存储单元的该第二电极电性沟通；以及控制电路安排同时使用该第一以及第二字线导体以存取该存储单元进行复位操作，来建立自该位线通过该存储单元同时至该第一及第二存取元件的该源极线接触的一电流通道。
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