[发明专利]基板处理装置、负载锁定室单元和搬送装置的搬出方法有效
申请号: | 200810145142.1 | 申请日: | 2006-09-04 |
公开(公告)号: | CN101359588A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 中込阳一;中山秀树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/677;B65G49/06;G02F1/1333;C23C16/54 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基板处理装置(1),不受设置搬送室内搬送装置场所高度的限制而将其搬出基板处理装置外面,其包括:真空中对基板S实施规定处理的处理室(10a~10c);与处理室相连接,保持在真空中并具有搬送基板S的搬送装置(50)的搬送室(20);和设置在搬送室(20)和大气侧基板收容室(40)之间的负载锁定室(30),其中,在负载锁定室(30)下方具有空间(310),搬送装置(50)可分成上部结构(500A)和下部结构(500B),上部结构(500A)可从搬送室(20)上方搬出到基板处理装置外,下部结构(500B)可从搬送室(20)下侧通过负载锁定室(30)下面的空间(310)搬出到装置外。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 负载 锁定 单元 搬出 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:在真空中对基板实施规定处理的处理室;以及与所述处理室相连接,被保持在真空中,并具有向所述处理室中搬入基板的搬送装置的搬送室,所述搬送装置能够分成上部结构和下部结构,所述上部结构能够从所述搬送室的上方搬出到基板处理装置外,所述下部结构能够从所述搬送室的下侧搬出到基板处理装置外。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810145142.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用挠性电路技术形成参考电极通道的方法和装置
- 下一篇:超声波探头
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造