[发明专利]可整合半导体制程的微结构制造方法有效
| 申请号： | 200810145283.3 | 申请日： | 2008-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101638213A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 陈晓翔;叶力垦;刘政谚 | 申请（专利权）人： | 微智半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可整合半导体制程的微结构制造方法，在一硅基层上表面形成一绝缘层，绝缘层设有彼此独立的至少一微结构与多个金属电路，微结构与金属电路受绝缘层包覆进行蚀刻，绝缘层成型一与金属电路及外部导体电性连结的金属连接层，金属连接层外露于该绝缘层表面上受一保护层覆盖进行蚀刻，避免微结构与金属连接层遭受蚀刻液侵蚀破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 半导体 微结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可整合半导体制程的微结构制造方法；其特征在于，包括下述步骤：在一硅基层上成型一绝缘层，所述绝缘层具有至少一微结构及多个金属电路，让所述微结构及金属电路受所述绝缘层包覆，所述绝缘层上成型一与所述金属电路电性链接的金属连接层，所述绝缘层表面沉积一保护层，使外露于所述绝缘层表面的所述金属连接层受所述保护层覆盖进行蚀刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微智半导体股份有限公司，未经微智半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810145283.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种活性炭的生产方法
- 下一篇：一种水泵加压过滤器
