[发明专利]固体摄像装置及其制造方法无效
申请号: | 200810145411.4 | 申请日: | 2008-08-05 |
公开(公告)号: | CN101364607A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 桝田知树;竹内泰郎;驹津智子;一之濑刚 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H01L21/822 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种抑制由抗反射膜本身的光吸收而造成的特性劣化的固体摄像装置。在本发明的固体摄像装置中,与每一个排列在半导体基板(1)上的受光部(2)相对应地设置有光谱特性互不相同的滤色片(8a~8c)。并且,将多个微透镜(10)设置在滤色片(8a~8c)的上方。将多个抗反射膜(11a)选择性地形成在设置在具有规定光谱特性的滤色片(8b)上的微透镜(10)表面。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种固体摄像装置,其特征在于:该固体摄像装置包括:半导体基板,多个受光部,在所述半导体基板上呈矩阵状排列,多个滤色片,形成在所述受光部上,多个微透镜,形成在所述滤色片各自的上方,以及多个抗反射膜,选择性地形成在部分所述微透镜表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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