[发明专利]Ag基合金溅射靶及其制造方法无效
| 申请号： | 200810145432.6 | 申请日： | 2008-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101376962A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 高木胜寿;森元荣一;松崎均;田内裕基 | 申请（专利权）人： | 株式会社钢臂功科研 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34;B22F3/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够在膜面方向(膜面内)稳定地形成成分均匀性优异的薄膜的Ag－Ta－Cu合金溅射靶。该溅射靶由Ta含量为0.6～10.5原子％、Cu含量为2～13原子％的Ag基合金构成，对溅射靶的溅射面进行图像分析时，(1)相对于Ta粒子的整个面积，当量圆直径为10～50μm的Ta粒子的合计面积为60面积％以上，且，Ta粒子的平均重心间距离为10～50μm；(2)相对于Cu粒子的整个面积，当量圆直径为10μm～50μm的Cu粒子的合计面积为70面积％以上，且，Cu粒子的平均重心间距离为60μm～120μm。 | ||
| 搜索关键词： | ag 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Ag基合金溅射靶，其由含有0.6～10.5原子％的Ta、2～13原子％的Cu的Ag基合金构成，其特征在于，在对所述溅射靶的溅射面进行图像分析时，(1)对Ta而言，相对于Ta粒子的整个面积，当量圆直径为10um以上50μm以下的Ta粒子的合计面积以面积率计为60％以上，并且，Ta粒子的平均重心间距离为10μm以上50μm以下；(2)对Cu而言，相对于Cu粒子的整个面积，当量圆直径为10μm以上50μm以下的Cu粒子的合计面积以面积率计为70％以上，并且，Cu粒子的平均重心间距离为60μm以上120μm以下。
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