[发明专利]具有改进的动态特性的半导体元件有效
| 申请号： | 200810145650.X | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101364613A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | M·曾德尔;F·赫勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/38;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘春元 |
| 地址： | 德国新*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有改进的动态特性的半导体元件。具有第一(101)和第二侧(102)的半导体本体(100)；漂移区(12)；第一半导体区(13)与漂移区互补掺杂且在第一侧邻近漂移区(12)；第二半导体区(11)与漂移区相同导电型且在第二侧(102)邻近漂移区；半导体本体中的至少两个沟槽(20)，在垂直方向从第一侧延伸入半导体本体和漂移区中，且隔开一定距离；邻近漂移区的沟槽中的场电极(22)，沟槽在垂直方向距第二半导体区一定距离且和第二半导体区的距离大于沟槽间距的1.5倍，且沟槽与第二半导体区之间漂移区的掺杂浓度与沟槽间(122)最小掺杂浓度相差至多35％。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 动态 特性 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：半导体本体，其具有第一侧和第二侧，漂移区，第一半导体区，与漂移区的掺杂互补且在第一侧方向上邻近漂移区，以及第二半导体区，与漂移区导电类型相同且在第二侧方向上邻近漂移区，至少两个沟槽，其布置在半导体本体中、且在垂直方向上从第一侧起始延伸进入半导体本体中并进入漂移区中，且其在半导体本体的横向上布置为相互隔开一定距离；场电极，其布置在邻近漂移区的至少两个沟槽中，其中该至少两个沟槽布置为在垂直方向上距第二半导体区一定距离，和其中在沟槽和第二半导体区之间的距离大于沟槽间相互距离的1.5倍，且其中在沟槽与第二半导体区之间的部分内的漂移区的掺杂浓度与在沟槽之间的部分内的最小掺杂浓度相差至多35％。
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