[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的目的在于提高具有包括微晶半导体的沟道形成区域的薄膜晶体管的电特性。该薄膜晶体管包括栅电极、形成在栅电极上的栅极绝缘膜、形成在栅极绝缘膜上的微晶半导体层、形成在栅极绝缘膜上的具有非晶半导体的微晶半导体层、以及形成在半导体层上的源区域及漏区域。在微晶半导体层中，在导通状态下形成沟道，并包含起到受主的作用的杂质元素。通过等离子体激发化学气相生长法，形成构成第一半导体层的微晶半导体层。当形成微晶半导体层时，由频率不同的两种以上的高频电力使工艺气体激发。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第一半导体层，该第一半导体层包括含有受主杂质元素的微晶半导体；在所述第一半导体层上形成第二半导体层，该第二半导体层包括非晶半导体；以及在所述第二半导体层上形成n型或p型半导体层，其特征在于，通过使用至少包括含有所述受主杂质元素的掺杂剂气体的工艺气体的等离子体激发化学气相生长法，形成所述第一半导体层，并且将频率不同的两种以上的高频电力提供到所述工艺气体来产生等离子体。