[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810145714.6 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101364598A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 池田晴美 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，其包括在半导体基板上形成的第一组晶体管、第二组晶体管和电阻器，所述第二组晶体管中每个晶体管的工作电压低于所述第一组晶体管中每个晶体管的工作电压，其中，所述第一组晶体管具有经过第一栅绝缘膜由硅系材料层在所述半导体基板上形成的第一栅电极；所述第二组晶体管具有经过第二栅绝缘膜将金属系栅材料填充在所述半导体基板上的层间绝缘膜中的栅形成用沟槽内而形成的第二栅电极；并且，所述电阻器具有电阻器本体和在所述电阻器本体上形成的电阻器保护层，所述电阻器本体利用所述硅系材料层并经过绝缘膜形成在所述半导体基板上。由此，可以设置能够高精度地设定其电阻值的电阻器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括在半导体基板上形成的第一组晶体管、第二组晶体管和电阻器，所述第二组晶体管中每个晶体管的工作电压低于所述第一组晶体管中每个晶体管的工作电压，其中，所述第一组晶体管具有经过第一栅绝缘膜由硅系材料层在所述半导体基板上形成的第一栅电极；所述第二组晶体管具有经过第二栅绝缘膜将金属系栅材料填充在所述半导体基板上的层间绝缘膜中的栅形成用沟槽内而形成的第二栅电极；并且，所述电阻器具有电阻器本体和在所述电阻器本体上形成的电阻器保护层，所述电阻器本体利用所述硅系材料层并经过绝缘膜形成在所述半导体基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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