[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810146095.2 | 申请日： | 2001-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101359667A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 西井胜则;井上薰;松野年伸;池田义人;正户宏幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/118 | 分类号： | H01L27/118;H01L29/778;H01L21/784;H01L21/335;H01L21/338;H01L33/00;H01S5/10;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体装置，其特征在于：是具备有保护氧化膜的多个半导体装置；半导体装置由分别形成在晶片状衬底上被划片区域包围的多个元件形成区域上的III族氮化物半导体构成；保护氧化膜形成在所述衬底上划片区的外围部分，由所述III族氮化物半导体热氧化形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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