[发明专利]一种具应力区的金属氧化半导体结构

摘要

本发明是关于一种具应力区的金属氧化半导体结构，包含：一基底，具有一第一组件区与一第二组件区；一应力区，位于该第一组件区与该第二组件区内各包含有一第一部分及一第二部分；其中，该第一及第二部分产生的应力不相同；一位障插塞，分隔该第一组件区与该第二组件区；一多个氧化层间隔物，位于该第一部分与该位障插塞之间，并紧邻于该第一部分。由于该应力区所产生的应力，使载子迁移率提升进而提高读取电流，而可用较低的读取电压来达到原本所需的读取电流，进而降低压致漏电流发生的可能性而使数据的保存性得以提高。

主权项

1.一种具应力区的金属氧化半导体结构，其特征在于，该金属氧化半导体结构包含：一基底，具有一第一组件区与一第二组件区；一应力区，位于所述的第一组件区与所述的第二组件区内；其中，所述的应力区在所述的第一及第二组件区内各包含有一第一部分及一第二部分；其中，所述的第一及第二部分产生的应力不相同；一位障插塞，分隔所述的第一组件区与所述的第二组件区；一多个氧化层间隔物，位于所述的第一部分与所述的位障插塞之间，并紧邻于所述的第一部分。