[发明专利]磁传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810146195.5 申请日: 2008-08-08
公开(公告)号: CN101369009A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 笠岛多闻;庄司茂 申请(专利权)人: 新科实业有限公司;TDK株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 代理人: 郝传鑫
地址: 中国香港新界沙田香*** 国省代码: 中国香港;81
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摘要: 发明提供一种能够实现小型化和低成本化的磁传感器。该磁传感器包括:磁场检测芯片,该磁场检测芯片具有检测磁场的磁场检测元件和输出来自该磁场检测元件输出信号的输出端子;基板,该基板在搭载磁场检测芯片的同时还具有连接端子,该连接端子形成于磁场检测芯片搭载面并与磁场检测芯片的输出端子连接;该磁传感器的特征在于:将磁场检测芯片搭载在基板上,使得配置的磁场检测芯片的输出端子形成面不与基板的搭载面平行。特别是,配置的磁场检测芯片的输出端子形成面大致垂直于基板的搭载面。
搜索关键词: 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁传感器,包括:磁场检测芯片,所述磁场检测芯片具有用于检测磁场的磁场检测元件和用于输出来自所述磁场检测元件输出信号的输出端子;具有连接端子的基板,所述基板搭载所述磁场检测芯片,所述连接端子形成在搭载有所述磁场检测芯片的搭载面上并与所述磁场检测芯片的所述输出端子相连接;其特征在于:所述磁场检测芯片以所述磁场检测芯片的输出端子形成面与所述基板的所述搭载面不平行的状态搭载在所述基板上。
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