[发明专利]阻抗可变存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 200810146351.8 | 申请日： | 2008-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101373632A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 裵晙洙;堀井秀树;朴美林 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种阻抗可变存储器件及其操作方法。该阻抗可变存储器件具有顶部电极与底部电极之间的相变材料。在操作阻抗可变存储器件的方法中，以从顶部电极至底部电极的方向施加写电流，且以从底部电极至顶部电极的方向施加读电流。通过施加写电流编程相变材料，通过施加读电流抑制相变材料的阻抗漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 阻抗 可变 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于操作在顶部电极与底部电极之间具有相变材料的阻抗可变存储器件的方法，所述方法包括：施加写电流以编程所述相变材料；以及在施加所述写电流的同时，施加读电流以读取存储在所述相变材料的数据，其中所述写电流与所述读电流的方向彼此相反。
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