[发明专利]α-钽层的形成方法、MIM电容及其形成方法有效
| 申请号： | 200810146359.4 | 申请日： | 2008-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101425453A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 曹荣志;廖茂成;孙钟仁;陈科维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/92;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种MIM电容、形成α-钽层的方法、以及形成MIM电容的方法。形成MIM电容的方法包括形成含氮层于半导体基底上。以轰击元素轰击含氮层以形成α-钽晶种层。之后，在N2流量实质上为零的条件下溅镀Ta以形成α-钽的第一极板表层。之后，形成介电层于第一极板上，并形成第二极板于介电层上，以完成MIM电容的制作。本发明可降低电极板的电阻，可降低电容的厚度，其他优点还包括以较低的成本制作出低电阻、低厚度的MIM电容。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 mim 电容 及其 | ||
【主权项】：
1. 一种形成α-钽层的方法，包括下列步骤：形成含氮层于半导体基底上；以轰击元素轰击该含氮层以形成α-钽晶种层；以及溅镀钽层于该α-钽晶种层上，以形成实质上由α-钽所构成的表层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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