[发明专利]用于半导体器件的电感器及其制造方法无效
申请号: | 200810146736.4 | 申请日: | 2008-08-27 |
公开(公告)号: | CN101378054A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 金寿台 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明披露了一种用于半导体器件的电感器及其制造方法。通过金属导线和电感线之间改进的电连接,可以实现提高的Q-指数和衬底中最小化的能量损耗,并且可以最小化寄生电容。对此,电感器可以包括衬底以及形成在衬底上方并在其中包含金属导线的绝缘层。金属衬垫可以形成在绝缘层上方。电感线可以形成在绝缘层上方并连接至金属衬垫。衬垫接触件、金属层和通道接触件可以顺序堆叠在金属导线和金属衬垫之间的绝缘层内。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 电感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种装置,包括:衬底;绝缘层,形成在所述衬底上方并且在所述绝缘层中包括金属导线;金属衬垫,形成在所述绝缘层上方;电感线,形成在所述绝缘层上方并且连接至所述金属衬垫;以及衬垫接触件、金属层和通道接触件,顺序堆叠在所述金属导线和所述金属衬垫之间的所述绝缘层内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司,未经东部高科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810146736.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电动汽车无线充电定位对准装置
- 下一篇:一种汽车充电桩
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的