[发明专利]金属－绝缘体－金属电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810146789.6 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378085A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 朴正浩 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L23/522;H01L27/02;H01L27/06;H01L27/08;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种能够实现半导体器件的可靠性提高的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器及其制造方法。所披露的MIM电容器包括金属－绝缘体－金属(MIM)电容器，该金属－绝缘体－金属(MIM)电容器可以包括：第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上方的第一金属层和形成在第一金属层上方的第一电容器绝缘膜。第二金属层可以在部分第一电容器绝缘膜上方形成而第二电容器绝缘膜可以在第二金属层上方形成。第三金属层可以在部分第二电容器绝缘膜上方形成而氮化膜可以在第三金属层上方形成。多层绝缘膜可以在所得到的结构的整个上部表面的上方形成。第一和第二金属线可以形成在接触孔中，该接触孔在贯穿多层绝缘膜后贯穿第一电容器绝缘膜、第二电容器绝缘膜和氮化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括:第一绝缘膜；第一金属层，形成在所述第一绝缘膜上方；第一电容器绝缘膜，形成在所述第一金属层上方；第二金属层，形成在部分所述第一电容器绝缘膜上方；第二电容器绝缘膜，形成在所述第二金属层上方；第三金属层，形成在部分所述第二电容器绝缘膜上方；氮化膜，形成在所述第三金属层上方；多层绝缘膜，形成在所得到的结构的整个上部表面的上方；以及第一金属线和第二金属线，形成在接触孔中，所述接触孔在贯穿所述多层绝缘膜之后贯穿所述第一电容器绝缘膜、所述第二电容器绝缘膜和所述氮化膜。
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