[发明专利]用于等离子处理装置的交替气体输送和排空系统有效
申请号: | 200810146790.9 | 申请日: | 2008-08-29 |
公开(公告)号: | CN101378003A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 哈里·P·王;弗农·王;克里斯托弗·查尔斯·格里芬;马克·塔斯卡尔 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23C16/455;C23C14/54;C30B25/14;C23F4/00;F17D1/02;F17D1/04;H01J37/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于等离子处理装置的交替气体输送和排空系统。提供一种用于供应气体混合物至等离子处理室的气体分配系统。第一阀门装置被连接至第一气体通道和第二气体通道的上游端。第二阀门装置被连接至该第一气体通道和该第二气体通道的下游端。第一气体分配出口管道连接在气体供应源和该第一阀门装置之间,以及第一室入口管道连接在该第二阀门装置和该等离子处理室之间。第一排空管道在该第一阀门装置和该第二阀门装置之间的位置与该第一气体通道连接。第二排空管道在该第一阀门装置和该第二阀门装置之间的位置与该第二气体通道连接。该第一排空管道和第二排空管道与真空管道流体连通。控制器室可操作的以驱动该第一阀门装置和第二阀门装置,以使该气体混合物选择性地沿该第一气体通道从该气体供应源流至该等离子处理室,同时该第二气体由该真空管道选择性排空;或者使该气体混合物选择性地沿该第二气体通道从该气体供应源流至该等离子处理室,同时该第一气体通道由该真空管道选择性地排空。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子 处理 装置 交替 气体 输送 排空 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于供应气体混合物至等离子处理室的气体分配系统,包含:连接至第一气体管道和第二气体管道的上游端的第一阀门装置;连接至该第一气体管道和该第二气体管道的下游端的第二阀门装置;连接在气体供应源和该第一阀门装置之间的第一气体分配出口管道和连接在该第二阀门装置和该等离子处理室之间的第一室入口管道;在该第一阀门装置和该第二阀门装置之间的位置与该第一气体管道连接的第一排空管道,该第一排空管道与真空管道流体连通;在该第一阀门装置和该第二阀门装置之间的位置与该第二气体管道连接的第二排空管道,该第二排空管道与该真空管道流体连通;和控制器,可操作以驱动该第一阀门装置和第二阀门装置以使该气体混合物选择性地沿该第一气体管道从该气体供应源流至该等离子处理室,同时该第二气体由该真空管道选择性地排空;或者使该气体混合物选择性地沿该第二气体管道从该气体供应源流向该等离子处理室,同时该第一气体管道由该真空管道选择性地排空。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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