[发明专利]一种加强芯片散热的方法、装置及系统无效
| 申请号： | 200810146902.0 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101359604A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 郭俊生 | 申请（专利权）人： | 深圳华为通信技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/48;H01L23/367;H01L23/13;H01L23/498;H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 518129广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种加强芯片散热的方法、装置及系统，所述方法为：在印刷电路板与芯片底部对应处开设通孔，所述通孔边缘不超出芯片边缘；在所述通孔处加装散热器，所述散热器与所述芯片底部连接进行散热。所述装置包括一种散热器，所述散热器至少包括基板和突起：所述突起固定在所述基板上表面，用于连接芯片底部和所述基板。本发明实施例通过在PCB上开设通孔加装散热器，并经由散热器与芯片底部连接的突起将芯片发散的热量转移到PCB外部的散热器上散发，提高了芯片底部的散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加强 芯片 散热 方法 装置 系统 | ||
【主权项】：
1、一种加强芯片散热的方法，其特征在于：在印刷电路板与芯片底部对应处开设通孔，所述通孔边缘不超出芯片边缘；在所述通孔处加装散热器，所述散热器与所述芯片底部连接进行散热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
