[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 200810147011.7 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101651173A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 叶哲良;徐文庆;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰硅晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 215300江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件。根据本发明的半导体发光元件包含一基板、一多层结构以及多个纳米复合结构。该基板具有一上表面及一下表面。该多层结构形成于该基板的上表面上并且包含一发光区。该多层结构具有一顶表面。该多个纳米复合结构中的每一个纳米复合结构包含一第一纳米层以及一第二纳米层。该第一纳米层形成于该多层结构的该顶表面上及/或该基板的该下表面上。该第二纳米层形成于该第一纳米层上。特别地，该第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包含：一基板，该基板具有一上表面及一下表面；一多层结构，该多层结构形成于该基板的该上表面上并且包含一发光区，该多层结构具有一顶表面；以及多个纳米复合结构，每一个纳米复合结构包含：一第一纳米层，该第一纳米层形成于该多层结构的该顶表面上或该基板的该下表面上；以及一第二纳米层，该第二纳米层形成于该第一纳米层上；其中该第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率。
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