[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810147014.0 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101651175A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;徐文庆;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰硅晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 215300江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。根据本发明的半导体发光元件包含一基板、一缓冲层、一多层结构及一欧姆电极结构。该缓冲层是选择性地形成于该基板的一上表面上，并使该基板的该上表面部分外露。该多层结构是形成以覆盖该缓冲层及该基板的外露的该上表面。该多层结构还包含一发光区。该缓冲层辅助该多层结构的一最底层侧向磊晶及垂直磊晶。该欧姆电极结构是形成于该多层结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，包含：一基板；一缓冲层，该缓冲层是选择性地形成于该基板的一上表面上并使该基板的该上表面部分外露；一多层结构，该多层结构的形成覆盖了该缓冲层及该基板外露的该上表面，该多层结构包含一发光区，其中该缓冲层辅助该多层结构的一最底层侧向磊晶及垂直磊晶；以及一欧姆电极结构，该欧姆电极结构形成于该多层结构上。
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