[发明专利]具有杂质捕集区域的硅晶圆及其制造方法无效
| 申请号： | 200810147017.4 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101649492A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 徐文庆;何思桦;王荣宗;许松林;郭华皓 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰硅晶有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 215300江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有杂质捕集区域的硅晶圆及其制造方法。根据本发明的硅晶圆包含一硅切片及一第一杂质捕集区域。该硅切片具有一第一表面。该第一杂质捕集区域形成于该硅切片的该第一表面上，并且通过在该硅切片的该第一表面之上的一处理形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 杂质 区域 硅晶圆 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆(silicon wafer)，包含：一硅切片(silicon slice)，该硅切片具有一第一表面；以及一第一杂质捕集区域(gettering region)，该第一杂质捕集区域形成于该硅切片的该第一表面上，并且由施加于该硅切片的该第一表面的一处理(treatment)形成。
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