[发明专利]SSOI基板的制造方法有效
| 申请号： | 200810147132.1 | 申请日： | 2008-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101373710A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 金寅谦;姜锡俊;陆炯相 | 申请（专利权）人： | 希特隆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周艳玲;罗正云 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过低温热处理分离基板形成SSOI基板的SSOI基板制造方法，其方法包括：提供基板，在上述基板的表面上形成SiGe层，在上述SiGe层的表面上生成具有比SiGe更少格数的Si而形成变形的硅层和向上述变形的硅层注入离子，其中在上述SiGe层的生成过程中掺加不纯物，达到注入的上述离子的深度处。因此可以制造表面的微细粗糙度良好的基板，通过被注入的离子和不纯物的互相作用在低温下也可以分离接合的基板，节省制造费用，并且容易地形成装置的结构。 | ||
| 搜索关键词： | ssoi 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SSOI基板的制造方法，其包括:提供基板；在上述基板的表面上形成SiGe层；在上述SiGe层的表面上生成具有比SiGe更少格数的Si而形成变形的硅层；和向上述变形的硅层注入离子；其中在上述SiGe层的生成过程中掺加不纯物，达到注入的上述离子的深度处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
