[发明专利]具有MIM电容器的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810147210.8 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101383347A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 金珉爽 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/108;H01L27/06;H01L27/08;H01L23/522;H01L29/92;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有MIM电容器的半导体器件及其制造方法。在本发明的一个示例性实施例中，具有MIM电容器的半导体器件包括：包括一对互相隔离开的金属图样的下部电极，被形成以覆盖下部电极隔离开的金属图样的表面的电介质，形成于电介质上的金属插塞，以及由金属制成并且形成于金属插塞上的上部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mim 电容器 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种具有金属绝缘体金属(MIM)电容器的半导体器件，包括:下部电极，包括一对互相隔离开的金属图样；电介质，被形成以覆盖所述下部电极的隔离开的所述金属图样的表面；金属插塞，形成于所述电介质上；以及上部电极，由金属制成并且形成于所述金属插塞上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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