[发明专利]一种耐热冲击陶瓷电容器的制备方法有效
| 申请号： | 200810147688.0 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101494116A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 钟朝位;李应中;李水艳;李清;胡琳 | 申请（专利权）人： | 成都宏明电子科大新材料有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H01G4/005 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610100四川省成都市成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种耐热冲击陶瓷电容器的制备方法，属于电子元件与材料技术领域，特别涉及陶瓷电容器的制备方法。本发明在常规陶瓷电容器的制备工程中增加了过渡电极的制备，通过在瓷片两面制备单层或多层不同银含量的过渡电极，利用过渡电极和常规电极材料中不同的银含量，其热导率不同，电极间存在热梯度，能够缓解陶瓷电容器在温度急剧变化环境中共作时产生的热应力。通过本发明制备的陶瓷电容器在保证陶瓷电容器电学特性的基础上，大幅度提高了陶瓷电容器的耐热冲击性，能够适应-55℃到125℃之间急剧变化的环境，尤其满足汽车电子对特殊陶瓷电容器的性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐热 冲击 陶瓷 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种耐热冲击陶瓷电容器的制备方法，包括瓷料制备、瓷片制备、电极制备、上保护层和上锡过程，其特征在于所述电极制备过程包括单层或多层过渡电极制备和常规电极制备两大步骤：步骤1：过渡电极制备：在制备好的瓷片两面分别制备不同银含量的单层或多层过渡电极；过渡电极的银含量在50％～75％之间，单层或多层过渡电极之间的银含量由里向外形成梯度分布，里层过渡电极的银含量比外层过渡电极的银含量低；相邻两层过渡电极的银含量差距为2％～5％；步骤2：常规电极制备：在经步骤1制备好过渡电极的瓷片两面制备银含量在65％～80％的常规电极。
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