[发明专利]一种具有SiN缓冲层的BST薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810147691.2 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101478065A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 蒋书文;熊年登;李言荣;姜斌 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P1/00 | 分类号： | H01P1/00;H01G7/06;H01B5/14;C23C16/34;C23C16/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有SiN缓冲层的BST薄膜材料及其制备方法，属于材料技术领域，涉及钛酸锶钡薄膜介电损耗与漏电流的双层介质薄膜材料。所述具有SiN缓冲层的BST薄膜材料包括衬底、下电极、上电极和BST薄膜，其中下电极与上电极之间还具有SiN缓冲层。所述具有SiN缓冲层的BST薄膜材料的制备方法包括SiN缓冲层的制备步骤。本发明在常规MIM结构的BST薄膜材料中增加了SiN缓冲层，能够显著降低薄膜的介电损耗，并且通过调节SiN层的厚度能够调节薄膜介电损耗；通过设计合适的BST厚度与SiN厚度的比值，能够得到介电可调率适中、介电损耗很低的介质薄膜；SiN缓冲层的引入还能显著降低BST薄膜的漏电流。本发明可以满足微波可调器件与微电子材料对BST薄膜性能的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 sin 缓冲 bst 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有SiN缓冲层的BST薄膜材料，包括衬底(1)、下电极(2)、上电极(5)和BST薄膜(4)；其特征在于，所述下电极(2)与上电极(5)之间还具有SiN缓冲层(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810147691.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
